उन्नत सुविधाएँ कुशल उत्पादनआजकल, एलईडी लैंप मोतियों की मौत के हजारों कारण हैं। इसलिए आज, Xiaobian ने एलईडी लैंप मोतियों के लिए कई प्रमुख कच्चे माल के साथ शुरुआत की है। इस समस्या में, संभव मृत रोशनी के कारणों को चिप से पेश किया गया है:
टुकड़ा:
1. चिप एपिटैक्सियल दोष एलईडी एपिटैक्सियल वेफर उच्च तापमान क्रिस्टल की वृद्धि की प्रक्रिया में, सब्सट्रेट, MOCVD प्रतिक्रिया कक्ष में अवशिष्ट जमा, परिधीय गैस और एमओ स्रोत अशुद्धियों को पेश करेगा, जो एपिटैक्सियल परत में प्रवेश करेगा और रोकथाम करेगा गैलियम नाइट्राइड क्रिस्टल बनाने से। नाभिक विभिन्न एपिटैक्सियल दोष बनाता है और अंततः एपिटेक्सियल परत की सतह पर छोटे गड्ढे बनाता है, जो क्रिस्टल गुणवत्ता और एपिटैक्सियल फिल्म सामग्री के प्रदर्शन को भी गंभीरता से प्रभावित करता है।
2, चिप के नुकसान से एलईडी चिप को नुकसान सीधे एलईडी विफलता का कारण होगा, इसलिए एलईडी चिप की विश्वसनीयता में सुधार करना महत्वपूर्ण है। वाष्पीकरण प्रक्रिया में, कभी-कभी वसंत क्लिप के साथ चिप को ठीक करना आवश्यक होता है, ताकि एक चुटकी उत्पन्न हो। यदि पीले प्रकाश का संचालन अधूरा है और मास्क में छेद हैं, तो प्रकाश उत्सर्जक क्षेत्र में अवशिष्ट धातु होगी। पूर्व-चरण की प्रक्रिया में, सफाई, वाष्पीकरण, पीली रोशनी, रासायनिक नक़्क़ाशी, संलयन, पीस, आदि जैसी विभिन्न प्रक्रियाओं में चिमटी और फूलों की टोकरी, वाहक, आदि का उपयोग करना चाहिए, ताकि डाई इलेक्ट्रोड की खरोंच हो।
3, चिप की नई संरचना और प्रकाश स्रोत सामग्री एलईडी चिप इलेक्ट्रोड की नई संरचना के साथ संगत नहीं है एल्यूमीनियम की एक परत है, इसकी भूमिका चिप प्रकाश निष्कर्षण दक्षता में सुधार करने के लिए इलेक्ट्रोड में एक दर्पण बनाने के लिए है, और दूसरा कुछ हद तक वाष्पीकरण को कम कर सकता है। इलेक्ट्रोड में इस्तेमाल किए जाने वाले सोने की लागत कम हो जाती है। हालांकि, एल्यूमीनियम एक अपेक्षाकृत सक्रिय धातु है। एक बार जब पैकेजिंग प्लांट को अच्छी तरह से नियंत्रित नहीं किया जाता है, तो सोना इलेक्ट्रोड में एल्यूमीनियम परावर्तक परत जंग का कारण बनने के लिए गोंद में क्लोरीन के साथ प्रतिक्रिया करता है।
4, चिप विरोधी स्थैतिक क्षमता एलईडी एलईडी प्रकाश उत्सर्जक चिप के आधार पर खराब एलईडी लैंप मोती विरोधी स्थैतिक संकेतक है, और पैकेजिंग सामग्री को पैकेजिंग प्रक्रिया से कोई लेना देना नहीं है, या प्रभावित कारक छोटे, बहुत सूक्ष्म हैं ; इलेक्ट्रोस्टैटिक क्षति के लिए एलईडी रोशनी अधिक अतिसंवेदनशील है, यह दो पिनों के बीच की दूरी से संबंधित है। एलईडी चिप के नंगे चिप के दो इलेक्ट्रोड के बीच की दूरी बहुत छोटी है, आम तौर पर एक सौ माइक्रोमीटर से कम है, और एलईडी पिन लगभग दो मिलीमीटर है। जब इलेक्ट्रोस्टैटिक चार्ज को स्थानांतरित करना है, तो रिक्ति बड़ा है। एक बड़ा संभावित अंतर बनाने में आसान है, जो एक उच्च वोल्टेज है। इसलिए, यह अक्सर एलईडी रोशनी में सील होने के बाद इलेक्ट्रोस्टैटिक क्षति दुर्घटनाओं के लिए अधिक प्रवण होता है।
5, मिलाप पर चिप इलेक्ट्रोड का प्रभाव: चिप इलेक्ट्रोड स्वयं विश्वसनीय वाष्पीकरण नहीं है, जिसके परिणामस्वरूप इलेक्ट्रोड बंद तार या क्षति के पीछे है; चिप इलेक्ट्रोड ही खराब टांकाशीलता हो सकती है, मिलाप गेंद मिलाप के लिए नेतृत्व करेगा; चिप के अनुचित भंडारण से इलेक्ट्रोड सतह ऑक्सीकरण, भूतल संदूषण, आदि को बढ़ावा मिलेगा, संबंध सतह का थोड़ा संदूषण दोनों के बीच धातु के परमाणुओं के प्रसार को प्रभावित कर सकता है, जिसके परिणामस्वरूप विफलता या मिलाप जोड़ों हो सकता है।
6, चिप रासायनिक अवशिष्ट इलेक्ट्रोड प्रसंस्करण सफाई, वाष्पीकरण, पीली रोशनी, रासायनिक नक़्क़ाशी, संलयन, पीस सहित एलईडी चिप्स बनाने की महत्वपूर्ण प्रक्रिया है, चिप सफाई पर्याप्त नहीं है, तो यह रासायनिक सफाई एजेंटों के एक बहुत से संपर्क करेगा, यह हानिकारक रसायनों का कारण होगा पदार्थ का अवशेष। ये हानिकारक रसायन एलइडी के सक्रिय होने पर इलेक्ट्रोड के साथ इलेक्ट्रोकेमिकल रूप से प्रतिक्रिया करते हैं, जिसके परिणामस्वरूप मृत रोशनी, प्रकाश क्षय, अंधेरा, कालापन और इस तरह होता है। इसलिए, एलईडी रासायनिक संयंत्रों की पहचान चिप रासायनिक अवशेषों के लिए महत्वपूर्ण है।
यह मरने के लिए एलईडी लैंप मनका चिप्स का एक तरीका है।